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APTGF90DA60TG	文件：287.77 Kbytes Page：6 Pages	Boost chopper NPT IGBT Power Module 文件：287.77 Kbytes 页数：6 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APTGF90DA60TG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SP4；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4	Microsemi 美高森美	Microsemi
VS-GB90DA60U	文件：278.98 Kbytes Page：10 Pages	Fully isolated package 文件：278.98 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-GT90DA60U	文件：215.11 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (High Speed Trench IGBT), 93 A FEATURES • Trench IGBT technology with positive temperature coefficient • Square RBSOA • HEXFRED® anti-parallel diodes with ultrasoft reverse recovery • Fully isolated package • Very low internal inductance (≤ 5 nH typical) • Industry standard outline • UL approved file E78996 • Material 文件：215.11 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-GT90DA60U	文件：214.57 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (High Speed Trench IGBT), 93 A FEATURES • Trench IGBT technology with positive temperature coefficient • Square RBSOA • HEXFRED® anti-parallel diodes with ultrasoft reverse recovery • Fully isolated package • Very low internal inductance (≤ 5 nH typical) • Industry standard outline • UL approved file E78996 • Material 文件：214.57 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
APTGF90DA60TG
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
散装
IGBT 类型：
NPT
配置：
单路
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，90A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
是
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SP4
供应商器件封装：
SP4
描述：
IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4

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