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|---|---|---|---|---|
APT40GR120B2D30 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
APT40GR120B2D30 | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
APT40GR120B2D30 | NPT IGBT & Trench IGBT ROHS | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT40GR120B2D30 | Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 88A 500W TO247 | Microchip 微芯科技 | Microchip |
产品属性
- 产品编号：
APT40GR120B2D30
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，40A
- 开关能量：
1.38mJ（开），906µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/163ns
- 测试条件：
600V，40A，4.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 1200V 88A 500W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
25+23+ |
TO247 |
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