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APT30GN60BDQ2G	文件：429.11 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT30GN60BDQ2G	文件：159.31 Kbytes Page：9 Pages	Resonant Mode Combi IGBT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT30GN60BDQ2G	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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APT30GN60BDQ2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 63A 203W TO247	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APT30GN60BDQ2	文件：159.31 Kbytes Page：9 Pages	ResonantModeCombiIGBT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT30GN60BDQ2	文件：429.11 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

产品属性

产品编号：
APT30GN60BDQ2G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，30A
开关能量：
525µJ（开），700µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/155ns
测试条件：
400V，30A，4.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 600V 63A 203W TO247

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