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APT1201R4BFLL	文件：124.23 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOS7FREDFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1201R4BFLL	文件：418.26 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOS7RFREDFET •LowerInputCapacitance •LowerMillerCapacitance •LowerGateCharge,Qg •IncreasedPowerDissipation •EasierToDrive •TO-247orSurfaceMountD3PAKPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT1201R4BFLL	文件：372.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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APT1201R4BLL	文件：69.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™ PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesalongwit	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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更多APT1201R4BLLX供应商更新时间2024-6-21 10:20:00

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