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FH10040MU	文件：86.57 Kbytes Page：1 Pages	ActiveHeatSink	ALPHAC Alpha Company Ltd.	ALPHAC
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FST10040	文件：145.75 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE100A 100AmpRectifier20-100Volts Features •HighSurgeCapability •TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
FST10040	文件：153.89 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod SchottkyPowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingforReverseProtection ●Lowforwardvoltage ●VRRM30to45Volts ●Electricallyisolatedbase ●ReverseEnergyTested ●Centertap ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST10040	文件：132.64 Kbytes Page：3 Pages	100AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FST10040	文件：608.07 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
FST10040	文件：369.7 Kbytes Page：3 Pages	HighSurgeCapability	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

详细参数

型号：
APT10040LVFRG
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 25A TO-264
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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