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HBAT-5402-BLK	文件：113.08 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeforTransientSuppression Description TheHBAT-5400seriesofSchottkydiodes,commonlyreferredtoasclipping/clampingdiodes,areoptimalforcircuitandwaveshapepreservationapplicationswithhighspeedswitching.Lowseriesresistance,RS,makesthemidealforprotectingsensitivecircuitelementsagainsthighcurr	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HBAT-5402-BLKG	文件：199.27 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeforTransientSuppression Description TheHBAT-540xseriesofSchottkydiodes,commonlyreferredtoasclipping/clampingdiodes,areoptimalforcircuitandwaveshapepreservationapplicationswithhighspeedswitching.Lowseriesresistance,RS,makesthemidealforprotectingsensitivecircuitelementsagainsthighcur	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HM5402	文件：959.53 Kbytes Page：10 Pages	1-SavinglithiumironphosphatebatterychargebalanceIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IN5402	文件：137.64 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCURRENT3.0Amperes FEATURE •Lowforwardvoltage •Highcurrentcapability •Lowleakagecurrent •Highsurgecapability •Lowcost	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
IN5402G	文件：47.28 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed 260℃/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
KI5402DC	文件：59.9 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSC5402D	文件：155.46 Kbytes Page：10 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication Features •HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication •WideSafeOperatingArea •Built-inFreeWheelingDiode •SuitableforElectronicBallastApplication •SmallVarianceinStorageTime •TwoPackageChoices;D-PAKorTO-220	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5402D	文件：279.06 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=1000V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.6V(Max)@IC=0.4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSC5402DT	文件：155.46 Kbytes Page：10 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication Features •HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication •WideSafeOperatingArea •Built-inFreeWheelingDiode •SuitableforElectronicBallastApplication •SmallVarianceinStorageTime •TwoPackageChoices;D-PAKorTO-220	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5402DT	文件：348.82 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=1000V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.6V(Max)@IC=0.4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多APAX-5402L供应商更新时间2025-7-19 15:01:00

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