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9997	文件：488.42 Kbytes Page：3 Pages	DeviceNetPowerSupplyCable,7/8PowerSingle-EndedCordset:Femalestraight,3-pin(2PE),blackbody,63V,12A;PURblackcable,1.00mm² ProductDescription 0905203301-DeviceNetPowerSupplyCable,7/8PowerSingle-EndedCordset:Femalestraight,3-pin(2+PE),blackbody,63V,12A;PURblackcable, 1.00mm²	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
9997GH	文件：102.95 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AP9997seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistanceandfastswitchingperformance.Itprovidesthedesignerwithanextremeefficientdeviceforuseinawiderangeofpowerapplications. TheTO-252packa	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
9997GH	文件：102.95 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement Description AP9997seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistanceandfastswitchingperformance.Itprovidesthedesignerwithanextremeefficientdeviceforuseinawiderangeofpowerapplications. TheTO-252packa	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
9997GH	文件：105.93 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997AGH-HF	文件：99.66 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltag	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997BGH-HF	文件：102.09 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997BGHJ-HF	文件：128.99 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP9997BGJ-HF	文件：781.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP9997GH	文件：330.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AP9997GH-HF	文件：1.23859 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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AP9997GH-HF	文件：1.01075 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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AP9997GK	文件：100.16 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsufacemountapplication,largerheatsinkthanSO-8andSOTpackage. ▼SimpleDriveRequirement ▼Lo	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9997GM	文件：188.43 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER

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