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AP9972AGR-HF	文件：100.77 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：100.77 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9972AGR-HF_14	文件：100.77 Kbytes Page：4 Pages	Single Drive Requirement 文件：100.77 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9972AGR-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single Drive Requirement	APEC 富鼎先进电子	APEC
AP9972GH-HF	文件：1.01409 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.01409 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AP9972GH-HF	文件：99.62 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：99.62 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP9972GI	文件：69.43 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220CFM isolation package is widely preferred for all commercial-industrial through hole applications. 文件：69.43 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

更多AP9972AGR-HF供应商更新时间2025-12-2 11:10:00