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AP83T03GJB	文件：64.87 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
83T03GJ-HF	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP83T03AGH-HF	文件：993.83 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP83T03AGH-HF	文件：63.02 Kbytes Page：4 Pages	LowOn-resistance,SimpleDriveRequirement,FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP83T03GH,J-HF	文件：104.67 Kbytes Page：4 Pages	LowOn-resistance,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP83T03GH-HF	文件：70.91 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP83T03GJ-HF	文件：70.91 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP83T03GM-HF	文件：119.25 Kbytes Page：4 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP83T03GMT-HF	文件：63.95 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SO-8Compatible Description AP83T03seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleonresistanceandfastswitchingperformance.Itprovidesthedesignerwithanextremeefficientdeviceforuseinawiderangeofpowerapplications. ThePMPAK®	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

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