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AP6508FE	文件：999.84 Kbytes Page：14 Pages	500kHz 21V 3A SYNCHRONOUS DC/DC BUCK CONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AP6508FE-13	文件：999.84 Kbytes Page：14 Pages	500kHz 21V 3A SYNCHRONOUS DC/DC BUCK CONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AP6508FE-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：14-UFDFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）稳压器 - DC-DC 开关稳压器描述：IC REG BUCK CONV DFN4030-14	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
AP6508FE-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：14-UFDFN 裸露焊盘功能：降压类别：集成电路（IC）稳压器 - DC-DC 开关稳压器描述：IC REG BUCK ADJ 3A DFN4030-14	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
AP6508FE-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：14-UFDFN 裸露焊盘功能：降压类别：集成电路（IC） DC DC 开关稳压器描述：IC REG BUCK ADJ 3A DFN4030-14	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
6508A	文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages	IsolatedDiodeArraywithHiRelMQ,MX,MV,andSPScreeningOptions	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
AON6508	文件：295.92 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelAlphaMOS GeneralDescription •LatestTrenchPowerAlphaMOS(αMOSLV)technology •VeryLowRDS(on)at4.5VGS •LowGateCharge •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP6508	文件：999.84 Kbytes Page：14 Pages	500kHz21V3ASYNCHRONOUSDC/DCBUCKCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
C6508A	文件：74.59 Kbytes Page：1 Pages	20C287/36TCPVCOASPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
HM-6508	文件：234.23 Kbytes Page：9 Pages	1024x1CMOSRAM Description TheHM-6508isa1024x1staticCMOSRAMfabricatedusingself-alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoachievehighperformanceandlowpoweroperation. Features •LowPowerStandby....................50µWMax •L	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
MAX6508	文件：241.83 Kbytes Page：12 Pages	DualTripSOTTemperatureSwitches	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX6508UT	文件：256.019 Kbytes Page：10 Pages	DualTripSOTTemperatureSwitchesNoExternalComponentsRequired	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MP6508	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6508GF	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6508GR	文件：1.08148 Mbytes Page：15 Pages	2.7V-to-18V,1.2A,BipolarStepperMotorDriverwithIntegratedMOSFETs	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MTD6508	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508-ADJE/JQ	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MTD6508T-E/NA	文件：1.27752 Mbytes Page：26 Pages	3-PhaseSinusoidalSensorlessBrushlessDCFanMotorDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
N6508NZ	文件：448.96 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,9.5A,0.85 Description TheN6508NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=0.85MAX.(VGS=10V,ID=4.75A) Lowinputcapacitance Ciss=2160pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±9	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NTE6508	文件：37.57 Kbytes Page：4 Pages	IntegratedCircuitCMOS,1KStaticRAM(SRAM) Description: TheNTE6508isa1024x1fullystaticCMOSRAMina16–LeadDIPtypepackagefabricatedusingself–alignedsilicongatetechnology.Synchronouscircuitdesigntechniquesareemployedtoacheivehighperformanceandlowpoweroperation.Onchiplatchesareprovidedforaddressallowi	NTE NTE Electronics, Inc	NTE

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详细参数

型号：
AP6508FE
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
500kHz 21V 3A SYNCHRONOUS DC/DC BUCK CONVERTER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科恒伟业电子有限公司	AP6508FE	DIODES/美台	22+	QFN	9852	只做原装正品现货,或订货假一赔十!	询价
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深圳市汇莱威科技有限公司	AP6508FE	DIODES	2023+	DFN4030	59124	16余年资质绝对原盒原盘更多数量	询价
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更多AP6508FE供应商更新时间2024-4-29 18:34:00

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