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AP4606B	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用MOS	UNIU-SEMIC 宇力	UNIU-SEMIC
AP4606B	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET	APM 永源微	APM
AP4606B(P)	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER MOSFETS	Allpower 铨力微	Allpower
AP4606P	文件：108.36 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：108.36 Kbytes 页数：6 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
CLA4606	文件：402.69 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Limiter Diodes and Ceramic Hermetic Packaged Devices Features  Established limiter diode process  High power, mid-range, and cleanup designs  Low insertion loss: 0.1 dB @ 10 GHz  Peak power handling to +74 dBm  Ultra low spike leakage power  Tight control of I layer base width 文件：402.69 Kbytes 页数：9 Pages	SKYWORKS 思佳讯	SKYWORKS
CTNS-4606S	文件：438.12 Kbytes Page：7 Pages	Fast Recovery and High Power Diode 文件：438.12 Kbytes 页数：7 Pages	Sanken 三垦	Sanken

技术参数

Configuration：
N+P
Vds(V)：
30
Vgs(V)：
±20
Vgs(th)(V)：
1.6
Id(A)：
6
Rdson(Typ)mΩ_10V：
18、42
Rdson(Typ)mΩ_4.5V：
24、68
Rdson(Typ)mΩ_2.5V：
--
Rdson(Typ)mΩ_1.8V：
--

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
天津市博通航睿技术有限公司	AP4606B	ALL-POWER			50		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	AP4606B		24+	N/A	51000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多AP4606B供应商更新时间2025-11-4 15:01:00

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