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AP4410	文件：300 bytes Page：1 Pages	通用MOS 功能●30 v, 15一个Ros(ON)< 8m2@Vgs=10V TYP:6.5m2Ros(ON)<13m9@Vgs=4.5V TYP:10.2mQ●先进的堑壕技术●获得无铅产品●优良的Ros (ON)和低栅极电荷应用程序●PWM应用●负载开关●电源管理\n原理图\n\n规格书下载点击此处	UNIU-SEMIC 宇力	UNIU-SEMIC
AP4410	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER MOSFETS	Allpower 铨力微	Allpower
AP4410	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET场效应管	Shiwei 世微半导体	Shiwei
AP4410M	文件：78.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SO-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for 文件：78.42 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4410AGM	文件：63.47 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, Low On-resistance 文件：63.47 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4410AGM-HF_14	文件：55.39 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：55.39 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4410BEC	文件：576.38 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low Power Dual Voltage Detector 文件：576.38 Kbytes 页数：11 Pages	AKM 旭化成微电子	AKM
AP4410GM	文件：208.24 Kbytes Page：5 Pages	Low On-Resistance, Fast Switching 文件：208.24 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4410GM_14	文件：219.47 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：219.47 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4410GM-HF	文件：57.73 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：57.73 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

技术参数

Configuration：
Single
ESD：
N
VDS(min)：
30
Id at 25℃(max)：
15
Vgs(th) typ(V)：
±20
Rds(on) (typ)(@10V)：
6.5
Rds(on) (typ)(@4.5V)：
10.2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AP4410供应商更新时间2025-10-31 17:35:00

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