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AP2608GY	文件：64.11 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AOB2608L	文件：282.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOB2608L	文件：294.93 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT2608L/AOB2608LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOT2608L	文件：289.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOT2608L	文件：1.2892 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOT2608L	文件：294.93 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT2608L/AOB2608LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AP2608AGK-HF	文件：96.23 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP2608AGY-HF	文件：63.54 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
BURNDY_YF2608ID	文件：272.44 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,24-26AWG,0.49L,TinPlated,Purple,ForuseonCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司
BURNDY_YF2608IT	文件：289.4 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,24-26AWG,0.49L,TinPlated,Yellow,ForuseonCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司
BURNDY_YF2608IW	文件：260.91 Kbytes Page：2 Pages	ElectCuSingleInsulWireFerrules,SmoothFunnelEntry,24-26AWG,0.49L,TinPlated,LTBlue,ForuseonCuCond.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司
CEH2608A	文件：471.84 Kbytes Page：5 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NChannel) 20V,4A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. FEATURES RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. RDS(ON)=110mW@VGS=1.8V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
DTQ2608	文件：359.19 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •SynchronousRectification •DT-TrenchPowerMOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
GKN2608	文件：602.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
GKN2608	文件：589.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
GKR2608	文件：603.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
GKR2608	文件：589.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
HFBR-2608Z	文件：371.78 Kbytes Page：6 Pages	SERCOSFiberOpticTransmittersandReceivers	AVAGOAvago 安华高安华高科技
HM2608	文件：111.05 Kbytes Page：2 Pages	Two-modedrivedigitalgroupingswitchdedicatedchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HS-2608	文件：181.49 Kbytes Page：1 Pages	ULVIntelCeleronprocessorEmbeddedEngineBoardwithCF,CRT/LVDS,DualLAN,Audio	BOSERBOSER Technology Co., Ltd BOSER Technology Co., Ltd

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更多AP2608GY供应商更新时间2024-4-28 10:15:00

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