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AP20N03D

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

AP20N03D采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该器件适用于负载开关或PWM应用。 V DS = 30V,ID = 20A \nRDS(ON)<17mΩ\n@ V GS = -2.5V RDS(ON)<23mΩ\n@ V GS = -4.5V 高功率和电流处理能力\n无铅产品\nTO-252表贴封装;

APM

永源微

AP20N03D-L

MOSFET

APM

永源微

AP20N03GP

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:62.58 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP20N03GS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:62.58 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP20N03H

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:84.25 Kbytes 页数:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

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更多AP20N03D供应商 更新时间2025-11-4 17:02:00