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AOT7S60	文件：293.19 Kbytes Page：6 Pages	600V 7A a MOS Power Transistor General Description The AOT7S60 & AOB7S60 & AOTF7S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche c 文件：293.19 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT7S60	文件：306.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT7S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 7A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOTF7S60	文件：296.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF7S60	文件：293.19 Kbytes Page：6 Pages	600V 7A a MOS Power Transistor General Description The AOT7S60 & AOB7S60 & AOTF7S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche c 文件：293.19 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW7S60	文件：276.86 Kbytes Page：6 Pages	600V 7A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW7S60 & AOWF7S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability the 文件：276.86 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
ESD Diode：
No
VDS (V)：
600.00
VGS (±V)：
30.00
ID @ 25°C (A)：
7.00
PD @ 25°C (W)：
104.00
10V：
600.00
VGS(th) max (V)：
3.90
Ciss (pF)：
372.00
Coss (pF)：
28.00
Crss (pF)：
1.20
Qg (10V)(nC)：
8.20
Qgd (nC)：
2.80
tD(on) (ns)：
19.00
tD(off) (ns)：
50.00
Trr (ns)：
198.00
Qrr (nC)：
2400.00
Qualification：
Industrial
Tj max (°C)：
150.00

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