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AOT7N60	文件：154.25 Kbytes Page：6 Pages	600V, 7A N-Channel MOSFET 文件：154.25 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT7N60	文件：167.19 Kbytes Page：6 Pages	600V,7A N-Channel MOSFET 文件：167.19 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT7N60	文件：306.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT7N60	文件：1.10559 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10559 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOT7N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V,7A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOT7N60_10	文件：167.19 Kbytes Page：6 Pages	600V,7A N-Channel MOSFET 文件：167.19 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO220
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
7
PD @ 25°C (W)：
192
10V：
1200
Qg (10V)(nC)：
23
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
861
Coss (pF)：
84
Crss (pF)：
6.60
Qgd (nC)：
11.20
tD(on) (ns)：
25
tD(off) (ns)：
51.50
Trr (ns)：
255
Qrr (nC)：
2600
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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