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AOT080A60L	文件：405.21 Kbytes Page：6 Pages	600V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor GeneralDescription •ProprietaryαMOS5TMtechnology •LowRDS(ON) •OptimizedswitchingparametersforbetterEMI performance •Enhancedbodydiodeforrobustnessandfast reverse •RoHS2.0andHalogen-FreeCompliant Applications •PFCandPWMstages(LLC,PSFB,TTF)ofServer, Tel	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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AOT080A60L

文件：405.21 Kbytes

Page：6 Pages

600V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor

GeneralDescription •ProprietaryαMOS5TMtechnology •LowRDS(ON) •OptimizedswitchingparametersforbetterEMI performance •Enhancedbodydiodeforrobustnessandfast reverse •RoHS2.0andHalogen-FreeCompliant Applications •PFCandPWMstages(LLC,PSFB,TTF)ofServer, Tel

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

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更多AOT080A60L供应商更新时间2025-5-10 11:13:00

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