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AOP609规格书详情
General Description
The AOP609 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AOP609 is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AOP609L is a Green Product ordering option.
AOP609 and AOP609L are electrically identical.
特性 Features
n-channel p-channel
VDS (V) = 60V -60V
ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)
RDS(ON) RDS(ON)
< 60mΩ (VGS=10V) < 115mΩ (VGS =-10V)
< 75mΩ (VGS=4.5V) < 140mΩ (VGS =-4.5V)
ESD Rating: 1500V HBM 3000V HMB
产品属性
- 型号：
AOP609
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
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