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AONS21303C	文件：630.07 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest advanced trench technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in load switch • Battery protection charge/discharge 文件：630.07 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AONS21303C	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
IR21303C	文件：247.18 Kbytes Page：21 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description The IR21303C is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V l 文件：247.18 Kbytes 页数：21 Pages	IRF	IRF
IRS21303	文件：524.75 Kbytes Page：22 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER The IRS213(0, 03, 2) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with three independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5 V logic. 文件：524.75 Kbytes 页数：22 Pages	IRF	IRF
IRS21303D	文件：537.03 Kbytes Page：23 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description The IRS213(0, 03, 2)D are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with three independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 文件：537.03 Kbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package：
DFN5x6-8L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
2.80
4.5V：
4
ID @ 25°C (A)：
-70
PD @ 25°C (W)：
138
Qg (4.5V)(nC)：
100
Qg (10V)(nC)：
210
VGS(th) max (V)：
-2.30
Ciss (pF)：
13240
Coss (pF)：
1360
Crss (pF)：
1150
Qgd (nC)：
40
tD(on) (ns)：
40
tD(off) (ns)：
190
Trr (ns)：
20
Qrr (nC)：
63
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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