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AON6452	文件：405.67 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BH6452GUL	文件：335.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconmonolithicintegratedcircuits	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CKS6452	文件：4.94746 Mbytes Page：46 Pages	PioneerBA49183RDSMEDIACENTERRECEIVER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
E-L6452	文件：259.79 Kbytes Page：22 Pages	Dual13x16MatrixHeadInkJetDriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRMS6452	文件：595.55 Kbytes Page：7 Pages	SIDEVIEWIRMS6452/TOPVIEW	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRMT6452	文件：595.55 Kbytes Page：7 Pages	SIDEVIEWIRMS6452/TOPVIEW	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
L6452	文件：259.79 Kbytes Page：22 Pages	Dual13x16MatrixHeadInkJetDriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L6452	文件：115.62 Kbytes Page：16 Pages	DUAL13X16MATRIXHEADINKJETDRIVER Description L6452isadevicedesignedtodrivetwo13x16matrixinkjetprintheadsinprinterapplications. Theoutputstageisabletosourcesimultaneously400mAoneachofthe16powerlines(columns)withadutycycleof33innormalprintingand66inheadpre-heating.Ontheaddresslin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MAX6452	文件：261.149 Kbytes Page：13 Pages	關PResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6452UT	文件：164.05 Kbytes Page：13 Pages	uPResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

详细参数

型号：
AON6452
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 5X6DFN
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SDMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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