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AON6405

30V P-Channel MOSFET

文件:251 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AON6405

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:986.65 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AON6405

P沟道MOSFET (8V - 60V)

Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术用于生产P 沟道功率 MOSFET,其具有卓越的鲁棒性,是负载切换、电池保护和电机驱动的理想选择。

AOS

美国万代

AON6405L

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON6405L combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).This device is ideal for load switch and battery protection applications. -RoHS Compliant -Halogen Free Features VDS (V) = -30V ID = -30A (VGS = -1

文件:133.82 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

技术参数

  • Package:

    DFN5x6-8L

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    P

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (±V):

    20

  • 10V:

    7

  • 4.5V:

    8

  • ID @ 25°C (A):

    -30

  • PD @ 25°C (W):

    83

  • Qg (4.5V)(nC):

    41

  • VGS(th) max (V):

    -1.60

  • Ciss (pF):

    4580

  • Coss (pF):

    755

  • Crss (pF):

    564

  • Qgd (nC):

    17

  • tD(on) (ns):

    180

  • tD(off) (ns):

    1200

  • Trr (ns):

    32

  • Qrr (nC):

    77

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    Yes

  • Tj max (°C):

    150

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更多AON6405供应商 更新时间2025-10-6 8:11:00