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AON5816

低压共漏电池 MOSFET

20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AON5816

20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

文件:401.55 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

CH5816

DISTRIBUTOR ASSEMBLY INSTRUCTIONS

文件:101.27 Kbytes 页数:2 Pages

PENTAIR

滨特尔

CN5816

4.5V to 32V Input High Current LED Driver IC

文件:345.93 Kbytes 页数:11 Pages

CONSONANCE

上海如韵

CXK5816

2048-WORD 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

2048 word x 8 Bit High Speed CMOS Static RAM

文件:437.74 Kbytes 页数:9 Pages

SonySony Corporation

索尼

技术参数

  • Package:

    DFN2x5-6L

  • Configuration:

    Common Drain

  • Polarity:

    N

  • VGS (±V):

    12

  • PD @ 25°C (W):

    1.70

  • Qg (4.5V)(nC):

    22

  • VGS(th) max (V):

    1.30

  • Ciss (pF):

    2170

  • Coss (pF):

    330

  • Crss (pF):

    270

  • Qgd (nC):

    6

  • Trr (ns):

    23

  • Qrr (nC):

    45

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    Yes

  • Tj max (°C):

    150

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