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EN5810A	文件：283.32 Kbytes Page：4 Pages	BipolarTransisitor-50V,-1A,LowVCE(sat)PNPSingleCPH6	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDD5810	文件：454.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelTrenchMOSFET60V,36A,27m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5810	文件：266.77 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,35A,27mOhm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5810	文件：359.11 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD5810	文件：310.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD5810	文件：763.21 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
HI5810	文件：762.41 Kbytes Page：13 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successive-approximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha5Vsupply.	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810JIB	文件：423.85 Kbytes Page：12 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold Description TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successiveapproximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HI5810JIB-T	文件：762.41 Kbytes Page：13 Pages	CMOS10Microsecond,12-Bit,SamplingA/DConverterwithInternalTrackandHold TheHI5810isafast,lowpower,12-bit,successive-approximation,analog-to-digitalconverter.Itcanoperatefromasingle3Vto6Vsupplyandtypicallydrawsjust1.9mAwhenoperatingat5V.TheHI5810featuresabuilt-intrackandhold.Theconversiontimeisaslowas10µswitha5Vsupply.	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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详细参数

型号：
AON5810
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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