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AON5802B	文件：435.26 Kbytes Page：5 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAON5802B/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbidirectionalloadswitch,facilitatedby	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON5802B_101	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WFDFN 裸露焊盘；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET N-CH DUAL DFN	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
AT5802	文件：258.88 Kbytes Page：12 Pages	Preliminary4-ChanneldriverPowerController	AimtronAimtron Technology 圆创科技	Aimtron
BCM5802	文件：594.71 Kbytes Page：50 Pages	Single-ChipSecurityProcessor	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
C5802	文件：85.23 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput(NoDamperDiode) HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput •HighBreakdownVoltage:BVCBO=1500V •HighSpeedSwitching:tF=0.1µs(Typ.) •WideS.O.A •ForC-Monitor(69KHz)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
C5802	文件：251.74 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
C5802A	文件：251.74 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
C5802D	文件：84.81 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageColorDisplayHorizontalDeflectionOutput(BuiltInDamperDiode)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
CF5802SB	文件：269.51 Kbytes Page：3 Pages	0.30mm(.0129)IFFFCF{FPCONE-TOUCHCONNECTO(0.9HBACK-LOCK)	CVILUXCvilux Corporation 瀚荃瀚荃股份有限公司	CVILUX
CLC5802	文件：420.76 Kbytes Page：12 Pages	DualLow-Noise,VoltageFeedbackOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
AON5802B
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2X5
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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