Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON5802B/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bidirectional load switch, facilitated by

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AOSMD

万国半导体

低压共漏电池 MOSFET

Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术用于锂电池的保护。这些“共漏”MOSFET具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命。 同时， Alpha and Omega Semiconductor拥有先进的CPS技术，拥有该技术的RigidCSP™系列产品，可以减少其在焊接过程中的翘曲，提高了产品在应用中的可靠性。

AOS

美国万代

低压MOSFET (12V - 30V)

Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术制造出性能领先的低压MOSFET。这些产品为DCDC、负载开关、BLDC及电源等应用量身定做。

AOS

美国万代

Package：6-WFDFN 裸露焊盘；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 描述：MOSFET N-CH DUAL DFN

Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.