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AON4803	文件：189.38 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON4803 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS -20V ID (at VGS=-4.5 文件：189.38 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON4803	文件：313.75 Kbytes Page：5 Pages	20V Dual P-Channel MOSFET 文件：313.75 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON4803	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 20V Dual P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AON4803_12	文件：313.75 Kbytes Page：5 Pages	20V Dual P-Channel MOSFET 文件：313.75 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
DFN3x2A-8L
Configuration：
Dual
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
4.5V：
90
2.5V：
120
1.8V：
165
ID @ 25°C (A)：
-3.40
PD @ 25°C (W)：
1.70
Qg (4.5V)(nC)：
6.10
VGS(th) max (V)：
-1
Ciss (pF)：
540
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
49
Qgd (nC)：
1.60
tD(on) (ns)：
10
tD(off) (ns)：
44
Trr (ns)：
21
Qrr (nC)：
7.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AON4803供应商更新时间2025-11-22 23:00:00

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