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B40D120	文件：340.58 Kbytes Page：6 Pages	POWERMODULESDIODE Description TheB40J../B40C../B40D..seriesofB-modulesusepowerdiodesinhalf0bridgeconfiguration. Thesemiconductorsareelectricallyisolatedfromthemetalbaseallowingcommonheatsinkandcompactassembliestobebuilt.Theycanbeinterconnectedtoformsingleorthreephasebridges.	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
V40D120C	文件：101.78 Kbytes Page：6 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V40D120C	文件：127.27 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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B40D120

文件：340.58 Kbytes

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POWERMODULESDIODE

Description TheB40J../B40C../B40D..seriesofB-modulesusepowerdiodesinhalf0bridgeconfiguration. Thesemiconductorsareelectricallyisolatedfromthemetalbaseallowingcommonheatsinkandcompactassembliestobebuilt.Theycanbeinterconnectedtoformsingleorthreephasebridges.

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

V40D120C

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DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

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DualHigh-VoltageTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable: -

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更多AOK40D120N供应商更新时间2024-6-25 11:32:00

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