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AOD4189	文件：218.83 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD4189usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. Features VDS(V)=-40V ID=-40A(VGS=-	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4189	文件：1.07145 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOD4189	文件：309.98 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=-40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=-40V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD4189	文件：635 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D4189；Package：TO-252；P-Channel MOSFET Features ●VDS(V)=-40V ●ID=-40A ●RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司
AOD4189	文件：495.86 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D4189；Package：TO-252；P-Channel MOSFET Features ●VDS(V)=-40V ●ID=-40A ●RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体
AOD4189	文件：2.24988 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Application ReverseBatteryprotection »Loadswitch oPowermanagement PWMApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AOD4189	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor\n;	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-40
VGS (±V)：
20
10V：
22
4.5V：
29
ID @ 25°C (A)：
-40
PD @ 25°C (W)：
62.50
Qg (4.5V)(nC)：
7.90
Qg (10V)(nC)：
31.40
VGS(th) max (V)：
-3
Ciss (pF)：
1870
Coss (pF)：
185
Crss (pF)：
155
Qgd (nC)：
6.20
tD(on) (ns)：
10
tD(off) (ns)：
38
Trr (ns)：
32
Qrr (nC)：
30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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