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AOD417	文件：118.05 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD417 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Features VDS (V) = -30V 文件：118.05 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD417	文件：309.43 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID=-25A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=-30V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 34mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lo 文件：309.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD417	文件：1.02329 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Load Switch • Battery Switch 文件：1.02329 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD417	文件：144.24 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：144.24 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD417	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOD417	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P-ch Fast Switching MOSFET	MTW 美台微	MTW
AOD417_08	文件：144.24 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：144.24 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
34
4.5V：
55
ID @ 25°C (A)：
-25
PD @ 25°C (W)：
50
Qg (4.5V)(nC)：
8.20
VGS(th) max (V)：
-3
Ciss (pF)：
920
Coss (pF)：
140
Crss (pF)：
90
Qgd (nC)：
3.60
tD(on) (ns)：
8
tD(off) (ns)：
22
Trr (ns)：
23
Qrr (nC)：
14
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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