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AOD4126	文件：309.23 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=43A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD4126	文件：988.27 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=100V,ID=36A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD4126	文件：462.64 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOD4126&AOI4126arefabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurp	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4126	文件：3.20818 Mbytes Page：5 Pages	Marking：D4126；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Application «ReverseBatteryprotection »Loadswitch Powermanagement PWMApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AOI4126	文件：1.17727 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOI4126	文件：462.64 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOD4126&AOI4126arefabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurp	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI4126	文件：317.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF4126	文件：428.83 Kbytes Page：7 Pages	fabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF4126	文件：295.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
B4126	文件：49.49 Kbytes Page：4 Pages	LowLossFilterforMobileCommunication	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
AOD4126
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 43A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SDMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOD4126供应商更新时间2025-7-20 10:02:00

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