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AOD406	文件：115.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityandbodydiodecharacteristics.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOD406isPb-free(meetsROHS&Sony25	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD406	文件：1.00148 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOD406	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi;	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AOD406	文件：201.55 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD406L	文件：115.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityandbodydiodecharacteristics.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOD406isPb-free(meetsROHS&Sony25	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD406_08	文件：201.55 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AOD4132
Package：
TO252
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
12
Id(A)(25℃)：
85
Id(A)(75℃)：
75
Pd(W)(25℃)：
100
Pd(W)(75℃)：
50
Rds (on) mΩ max(10V)：
5
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
5.7
Qg (nC)：
72.4

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