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AOD2610	文件：297.57 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOD2610usestrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.PowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON)andCrss.Inaddition,switchingbehavioriswellcontrolledwitha	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD2610	文件：421.217 Kbytes Page：6 Pages		AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 PDF上传者：深圳市粤骏腾电子科技有限公司	AOSMD
AOD2610	文件：361.31 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD2610	文件：1.5625 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD2610	文件：992.05 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD2610	文件：267.48 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD2610E	文件：491.94 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET GeneralDescription •LowRDS(ON) •LowGateCharge •LowEoss •ESDprotected •RoHSandHalogen-FreeCompliant	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AOD2610E	文件：645.96 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET GeneralDescription •LowRDS(ON) •LowGateCharge •LowEoss •ESDprotected •RoHSandHalogen-FreeCompliant ProductSummary VDS60V ID(atVGS=10V)46A RDS(ON)(atVGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AOD2610_14	文件：267.48 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD2610E	文件：309.5 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AOD2610
功能描述：
MOSFET N CH 60V 46A TO252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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