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AOCA32112E	文件：326.36 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description • Trench Power MOSFET technology • Low RSS(ON) • With ESD protection to improve battery performance and safety • Common drain configuration for design simplicity • RoHS and Halogen-Free Compliant' Applications • Battery protection switch • Mobile device battery chargi 文件：326.36 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOCA32112E	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压共漏电池 MOSFET 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AP32112	文件：802.78 Kbytes Page：12 Pages	TriCore Incremental Encoder Interface using the General Purpose Timer Unit (GPTU) 文件：802.78 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
LTWTN-32112	文件：130.55 Kbytes Page：5 Pages	Power Transducer Series LT-UNIT 文件：130.55 Kbytes 页数：5 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM
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更多AOCA32112E供应商更新时间2025-10-4 14:01:00