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AOB412L	文件：313.05 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOT412&AOB412LarefabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchinga	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB412L	文件：282.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
412	文件：375.69 Kbytes Page：3 Pages	DCaxialfans	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
412	文件：53.73 Kbytes Page：2 Pages	DetectableBuriedBarricadeTapes400Series	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
412	文件：311.38 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
412	文件：142.57 Kbytes Page：6 Pages	ESTABLISHEDRELIABILITYTO-5RELAYS	WILLOW Willow Technologies Ltd	WILLOW
412	文件：597.06 Kbytes Page：3 Pages	Replace“XX”with01through12fornumberofpoles11/16(.688)pitch	MARATHON Regal Beloit Corporation	MARATHON
412A	文件：469.47 Kbytes Page：4 Pages	RELIABLEHARDGLASSMINIATUREFULL-WAVERECTIFIER	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
412D	文件：142.57 Kbytes Page：6 Pages	ESTABLISHEDRELIABILITYTO-5RELAYS	WILLOW Willow Technologies Ltd	WILLOW
412DD	文件：142.57 Kbytes Page：6 Pages	ESTABLISHEDRELIABILITYTO-5RELAYS	WILLOW Willow Technologies Ltd	WILLOW
412DDV	文件：256.97 Kbytes Page：6 Pages	DPDTbasichigh-vibrationrelay	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
412DV	文件：256.97 Kbytes Page：6 Pages	DPDTbasichigh-vibrationrelay	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
412F	文件：271.85 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
412F	文件：153.67 Kbytes Page：1 Pages	DCaxialfans	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
412FH	文件：153.67 Kbytes Page：1 Pages	DCaxialfans	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
412FH	文件：272.02 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
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412H	文件：141.47 Kbytes Page：6 Pages	DPDThigh-temperaturerelay	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
412H	文件：311.74 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST

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详细参数

型号：
AOB412
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SDMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOB412供应商更新时间2024-5-31 15:30:00

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