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SSF6808	文件：340.2 Kbytes Page：5 Pages	Powerswitchingapplication	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
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SSF6808A	文件：1.00058 Mbytes Page：5 Pages	68VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF6808D	文件：581.06 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedtrenchMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF6808D	文件：1.15047 Mbytes Page：7 Pages	68VN-ChanelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
U6808B	文件：266.33 Kbytes Page：14 Pages	SpeciaFail-safeIC	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
U6808B	文件：173.63 Kbytes Page：12 Pages	SpecialFail-safeIC	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
U6808B-MFPY	文件：266.33 Kbytes Page：14 Pages	SpeciaFail-safeIC	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
VS6808DH	文件：442.63 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
AO6808
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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