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AO6608	文件：387.6 Kbytes Page：9 Pages	20V Complementary MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AWU6608	文件：567.34 Kbytes Page：13 Pages	HELP3TMBand8/WCDMA3.4V/28.5dBmLinearPAModule	ANADIGICS ANADIGICS, Inc	ANADIGICS
AX6608	文件：847.04 Kbytes Page：16 Pages	300mAHighPSRR,LowNoiseLDORegulator GENERALDESCRIPTION TheAX6608isalowdropout,highPSRR,lownoiselinearregulatorwithverylowquiescent.Itcansupply300mAoutputcurrentwithlowdropoutabout250mV.TheDeviceincludespasselement,erroramplifier,band-gap,current-limitandthermalshutdowncircuitry.Thecharact	AXELITEAXElite technology co. ltd 亚瑟莱特亚瑟莱特科技股份有限公司	AXELITE
CEM6608	文件：647.27 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4A,RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM6608	文件：519.51 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4A,RDS(ON)=76mW@VGS=10V. RDS(ON)=100mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
DTQ6608	文件：513.179 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •100RgandUISTested •DT-TrenchPowerMOSFET APPLICATIONS •NotebookPCCore •VRM/POL	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
IPC-6608	文件：1.38833 Mbytes Page：2 Pages	8/6-SlotDesktop/WallmountChassiswithPS/2andRedundantPowerSupplyOptions	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IRF6608	文件：178.74 Kbytes Page：8 Pages	lHEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6608combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6608	文件：187.04 Kbytes Page：9 Pages	ApplicationSpecificMOSFETs Description TheIRF6608combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
ISL6608	文件：611.92 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedMOSFETDriverwithPre-BiasedLoadStartupCapability	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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