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AX6604FCA	文件：409.76 Kbytes Page：11 Pages	DualChannelLDORegulatorswithEnable GENERALDESCRIPTION TheAX6604/5isahighaccurately,lownoise,highripplerejectionratio,lowdropout,dualCMOSLDOvoltageregulatorswithenablefunction.TheENfunctionallowstheoutputofeachregulatortobeturnedoffindependently,resultingingreatlyreducedpowerconsumption.	AXELITEAXElite technology co. ltd 亚瑟莱特亚瑟莱特科技股份有限公司	AXELITE
AX6604PCA	文件：409.76 Kbytes Page：11 Pages	DualChannelLDORegulatorswithEnable GENERALDESCRIPTION TheAX6604/5isahighaccurately,lownoise,highripplerejectionratio,lowdropout,dualCMOSLDOvoltageregulatorswithenablefunction.TheENfunctionallowstheoutputofeachregulatortobeturnedoffindependently,resultingingreatlyreducedpowerconsumption.	AXELITEAXElite technology co. ltd 亚瑟莱特亚瑟莱特科技股份有限公司	AXELITE
EFC6604R	文件：506.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EFC6604R	文件：309.02 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EFC6604R-TR	文件：506.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EM6604	文件：452.55 Kbytes Page：25 Pages	UltraLowPowerMultiI/OMicrocontroller	EMMICRO EM Microelectronic - MARIN SA	EMMICRO
FAN6604	文件：990 Kbytes Page：15 Pages	HighlyIntegratedGreen-ModePWMController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FAN6604MLMX	文件：990 Kbytes Page：15 Pages	HighlyIntegratedGreen-ModePWMController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FAN6604MRMX	文件：990 Kbytes Page：15 Pages	HighlyIntegratedGreen-ModePWMController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HIP6604	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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详细参数

型号：
AO6604
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 20V 6-TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市泓利达微科技有限公司	AO6604	AOS美国万代	24+	TSOP-6/SOT23-6	888000	AOS代理商优势现货美国万代全系列MOS管	询价
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更多AO6604供应商更新时间2025-5-16 10:01:00

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