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CEM6601-TP	文件：1.9001 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET ‘GENERALFEATURES Vos=-60Vb=-4A Roson	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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CET6601	文件：391.17 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：601.18 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CET6601A	文件：504.34 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEU6601	文件：990.14 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEU6601A	文件：428.04 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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