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AO4612中文资料杜因特数据手册PDF规格书

AO4612
厂商型号

AO4612

功能描述

N-Chanel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology

文件大小

2.72031 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
企业简称

DOINGTER杜因特

中文名称

深圳市杜因特半导体有限公司官网

原厂标识
DOINGTER
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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AO4612规格书详情

Description:

This N-Chanel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other application.

Features:

N-Channel: VDS=60V,ID=4.5A,RDS(ON)<40mΩ @VGS=10V

P-Channel: VDS=-60V,ID=-4.1A,RDS(ON)<90mΩ @VGS=-10V

1) High Power and current handing capability.

2) Lead free product is acquired.

3) Surface Mount Package.

产品属性

  • 型号:

    AO4612

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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