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AO4498	文件：191.31 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：191.31 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4498	文件：1.43887 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4498；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET 文件：1.43887 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4498	文件：2.48071 Mbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：2.48071 Mbytes 页数：6 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4498	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4498L	文件：152.06 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4498L combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. - RoHS Compliant - Halogen Free Features VDS (V) = 30V ID = 18A (VGS = 10 文件：152.06 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4498E	文件：2.16247 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：2.16247 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4498E	文件：1.40365 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4498E；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET 文件：1.40365 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4498E	文件：267.09 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：267.09 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4498E-HF	文件：1.82933 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4498E；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET 文件：1.82933 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4498EL	文件：274.64 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：274.64 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
5.50
4.5V：
7.50
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
18
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
18
Qg (10V)(nC)：
37
VGS(th) max (V)：
2.50
Ciss (pF)：
1910
Coss (pF)：
316
Crss (pF)：
227
Qgd (nC)：
11
tD(on) (ns)：
8.10
tD(off) (ns)：
29
Trr (ns)：
14
Qrr (nC)：
40
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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