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AO4448	文件：291.81 Kbytes Page：6 Pages	80V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4448isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatechargeandlowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4448	文件：2.56657 Mbytes Page：6 Pages	80V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4448isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatechargeandlowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4448	文件：1.58745 Mbytes Page：5 Pages	Marking：4448；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4448L	文件：265.96 Kbytes Page：6 Pages	80V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4448LisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatechargeandlowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpo	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4448-HF	文件：2.19573 Mbytes Page：5 Pages	Marking：4448；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BPSM4448	文件：39.74 Kbytes Page：1 Pages	500mWSURFACEMOUNTEPITAXIALPLANARDIODE Features ■PLANARPROCESS ■500mWPOWERDISSIPATION ■LOWCOSTLOWPROFILEPACKAGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
CDSER4448	文件：124.77 Kbytes Page：2 Pages	SMDSwitchingDiode HighSpeed Features FastSwitchingSpeed. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Mechanicaldata Case:0503(1308)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. Polarity:Indicatedbycat	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDSF4448	文件：73.74 Kbytes Page：2 Pages	SMDSwitchingDiode Io=125mA VR=80Volts Features FastSwitchingSpeed Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Mechanicaldata Case:1005(2512)Standardpackage, moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableper	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDSF4448-HF	文件：127.24 Kbytes Page：4 Pages	SMDSwitchingDiode Io=125mA VR=80Volts RoHSDevice HalogenFree Features -Extremelythin/leadlesspackage. -Fastswitchingspeed -Designedformountingonsmallsurface. Mechanicaldata -Case:1005/SOD-323Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,SolderableperMIL-STD-750,met	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDSFR4448	文件：73.07 Kbytes Page：2 Pages	SMDSwitchingDiode Io=125mA VR=80Volts Features FastSwitchingSpeed Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

详细参数

型号：
AO4448
功能描述：
MOSFET N-CH 80V 10A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SDMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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