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AO4446	文件：112.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4446usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseinPWMapplications.StandardProductAO4446isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). AO4446LisaGreenProdu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4446	文件：1.41645 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=15A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4446	文件：1.70379 Mbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4446usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseinPWMapplications. ProductSummary VDS(V)=30V ID=15A(VGS=10V) RDS(ON)	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司
AO4446	文件：1.00692 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO4446	文件：171.76 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4446-HF	文件：1.48573 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=15A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4446L	文件：112.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4446usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseinPWMapplications.StandardProductAO4446isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). AO4446LisaGreenProdu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4446_10	文件：171.76 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
ACE4446B	文件：938.35 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE4446BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.Thesourceleadsareseparatedtoallowakelvinconnectiontothesource,whichmaybeusedtobypassthesourceind	ACE ACE Technology Co., LTD.
DL4446	文件：203.1 Kbytes Page：4 Pages	500mW75VoltHigh-speedDiode Features •SmallhermeticallysealedglassSMDpackage •Highswitchingspeed:max.4ns •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
E4446A	文件：255.16 Kbytes Page：25 Pages	AgilentPSASeriesSpectrumAnalyzers	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司
E4446A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司
E4446A-AYZ	文件：255.16 Kbytes Page：25 Pages	AgilentPSASeriesSpectrumAnalyzers	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司
E4446A-BAB	文件：255.16 Kbytes Page：25 Pages	AgilentPSASeriesSpectrumAnalyzers	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司
FDLL4446	文件：268.32 Kbytes Page：1 Pages	SMALLSIGNALDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
FDLL4446	文件：336.14 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
KO4446	文件：1.41645 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=15A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KO4446-HF	文件：1.48573 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=15A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
LA4446	文件：178.39 Kbytes Page：7 Pages	5.5W2-ChannelAFPowerAmp	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
LL4446	文件：200.335 Kbytes Page：1 Pages	100VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行

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详细参数

型号：
AO4446
制造商：
Alpha & Omega Semiconductor

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