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AO4446	文件：112.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4446 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use in PWM applications. Standard Product AO4446 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4446L is a Green Produ 文件：112.48 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4446	文件：1.41645 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4446；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 15 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.41645 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4446	文件：1.00692 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00692 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4446	文件：1.70379 Mbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4446 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use in PWM applications. Product Summary VDS (V) = 30V ID = 15A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.70379 Mbytes 页数：4 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4446	文件：171.76 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：171.76 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4446	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4446-HF	文件：1.48573 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4446；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 15 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.48573 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4446L	文件：112.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4446 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use in PWM applications. Standard Product AO4446 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4446L is a Green Produ 文件：112.48 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4446_10	文件：171.76 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：171.76 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Last Time Buy
Recommended Replacement：
AO4566
Package：
SOIC-8
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
15
Id(A)(75℃)：
12
Pd(W)(25℃)：
3
Pd(W)(75℃)：
2.1
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
8.5
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
14.5
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
17

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更多AO4446供应商更新时间2025-10-4 10:21:00

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