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AO4423	文件：262.92 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4423；Package：SOP-8；P-Channel 30 V (D-S) MOSFET APPLICATIONS • Load Switch • Notebook Adaptor Switch 文件：262.92 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4423	文件：2.16942 Mbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4423 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. * RoHS and Halogen-Free Compliant Product Summary VDS (V) = -30V 文件：2.16942 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4423	文件：273.42 Kbytes Page：4 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4423 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. AO4423L (Green Product) is offered in a lead-free packag 文件：273.42 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4423	文件：567.47 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor [Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.] General Description The AO4423 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. AO4423L (Green 文件：567.47 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO4423	文件：1.49654 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-15 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：1.49654 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4423	文件：993.03 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：993.03 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4423	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：P-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4423-HF	文件：1.5127 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-15 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：1.5127 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4423L	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术用于生产P 沟道功率 MOSFET，其具有卓越的鲁棒性，是负载切换、电池保护和电机驱动的理想选择。	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Status：
Full Production
Package：
SOIC-8
Configuration：
Single - P
Vds/V：
-30
Vgs/V：
25
Id(A)(25℃)：
-17
Id(A)(75℃)：
-14
Pd(W)(25℃)：
3.1
Pd(W)(75℃)：
2
Rds (on) mΩ max(20V)：
6.2
Rds (on) mΩ max(10V)：
7.2
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
47

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