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AO4420	文件：170.56 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics. This device is suitable for use as a synchronous switch in PWM applications. Product Summary VDS (V) = 30V ID = 13.7A (VGS = 10V) 文件：170.56 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4420	文件：1.6972 Mbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics. This device is suitable for use as a synchronous switch in PWM applications. Product Summary VDS (V) = 30V ID = 13.7A (VGS = 10V) 文件：1.6972 Mbytes 页数：4 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4420	文件：1.78134 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 20V, ID= 10 A RDS(ON) 文件：1.78134 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
AO4420	文件：476.52 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics.This device is suitable for use as a synchronous switch in PWM applications. AO4420L is offered in a lead-free package. AO4420L ( Green Product ) is o 文件：476.52 Kbytes 页数：7 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
AO4420	文件：1.00758 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.00758 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4420	文件：475.6 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：475.6 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4420	文件：1.47885 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4420；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET 文件：1.47885 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4420	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4420A	文件：103.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4420A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics.This device is suitable for use as a synchronous switch in PWM applications. Standard Product AO4420A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifica 文件：103.86 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4420A	文件：1.00744 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00744 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Status：
Last Time Buy
Recommended Replacement：
AO4492
Package：
SOIC-8
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
12
Id(A)(25℃)：
13.7
Id(A)(75℃)：
9.7
Pd(W)(25℃)：
3.1
Pd(W)(75℃)：
2
Rds (on) mΩ max(10V)：
10.5
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
12
Qg (nC)：
30.5

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更多AO4420供应商更新时间2025-10-5 10:02:00

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