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AO4262E

中压MOSFET (40V - 400V)

60V N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AO4262E

60V N-Channel AlphaSGT

文件:388.7 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

ASDL-4262

High Power T-1쩐 (5mm) AlGaAs/GaAs Infrared (940nm) Lamp

文件:185.87 Kbytes 页数:4 Pages

AVAGO

安华高

IRGP4262D-EPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

• VCES = 650V • IC = 40A, TC =100°C • tSC ≥ 5.5µs, TJ(max) = 175°C • VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 24A Applications • Industrial Motor Drive • UPS

文件:679.11 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRGP4262DPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件:679.11 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

技术参数

  • Package:

    SO8

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    60

  • VGS (±V):

    20

  • 10V:

    6.50

  • 4.5V:

    8.50

  • ID @ 25°C (A):

    16.50

  • PD @ 25°C (W):

    3.10

  • Qg (10V)(nC):

    30

  • Qg (4.5V)(nC):

    15

  • VGS(th) max (V):

    2.20

  • Ciss (pF):

    1650

  • Coss (pF):

    520

  • Crss (pF):

    52

  • Qgd (nC):

    6.50

  • tD(on) (ns):

    8.50

  • tD(off) (ns):

    50

  • Trr (ns):

    19

  • Qrr (nC):

    60

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    Yes

  • Tj max (°C):

    150

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更多AO4262E供应商 更新时间2025-10-4 10:03:00