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AO3423	文件：126.51 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3423 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO3423 is Pb-free (meets ROH 文件：126.51 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3423	文件：1.78927 Mbytes Page：4 Pages	丝印：AS；Package：SOT-23；SMD Type ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-2.0 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.78927 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3423	文件：1.02301 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：1.02301 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3423	文件：2.54749 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-2.0 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.54749 Mbytes 页数：4 Pages	YIXIN 壹芯微	YIXIN
AO3423	文件：2.11665 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) =-20V ID =-2.0 A (VGS =-10V) RDS(ON) 文件：2.11665 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3423	文件：288.52 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：288.52 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3423	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT23-3L Plastic-Encapsulate MOSFET (P Channel)	MSV 萌盛微	MSV
AO3423	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V/-3.0A P Channel Advanced Power MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO3423	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V P-Channel MOSFET	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
AO3423A	文件：394.36 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS FEATURE ※ TrenchFET Power MOSFET ※ ESD Protected 2.0KV 文件：394.36 Kbytes 页数：3 Pages	UMW 友台半导体	UMW

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
12
10V：
92
4.5V：
118
2.5V：
166
ID @ 25°C (A)：
-2
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
3.20
VGS(th) max (V)：
-1.20
Ciss (pF)：
325
Coss (pF)：
63
Crss (pF)：
37
Qgd (nC)：
0.90
tD(on) (ns)：
11
tD(off) (ns)：
8
Trr (ns)：
6.10
Qrr (nC)：
1.40
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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