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AO3416	文件：417.08 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel MOSFET General Description The AO3416 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. AO3416L ( Green Product ) is offered in a lea 文件：417.08 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3416	文件：2.49089 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS (V) = 20V ID = 6.5 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 文件：2.49089 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3416	文件：2.36014 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET 文件：2.36014 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3416	文件：1.0277 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0277 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO3416	文件：123.98 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：123.98 Kbytes 页数：4 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
AO3416	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET场效应管	TWTLsemi 腾领	TWTLsemi
AO3416	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO3416	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管MOSFETs	ZOCA 卓凯半导体	ZOCA
AO3416A	文件：2.8179 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AGLX；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET Features VDS(V)= 20V ID = 6 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 文件：2.8179 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3416-HF	文件：2.70398 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET 文件：2.70398 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

VDS(V)：
20
VGS(th) ±(V)：
8
LD(A)：
6.5
RDS(ON)(Ω)：
0.022
RDS(ON)VGS(V)：
4.5
RDS(ON)ID(A)：
6.5
VGS(th）Min(V)：
0.4
VGS(th）Max(V)：
1.1
Package Type：
SOT23

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