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AM6923P	文件：186.01 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ANX6923	文件：455.244 Kbytes Page：12 Pages	ANX6923资料	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳市赛尔通科技有限公司	ETC
AP6923GMT-HF	文件：135.89 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirement,EasyforSynchronousBuckConverterApplication	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6923O	文件：73.63 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELWITHSCHOTTKYDIODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼LowOn-Resistance ▼FastSwitchingCharacteristic ▼IncludedSchottkyDiode	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
F6923	文件：127.39 Kbytes Page：3 Pages	Dual-ChannelLowNoiseAmplifier13.75??17.3GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F6923	文件：1.45427 Mbytes Page：15 Pages	Dual-ChannelLowNoiseAmplifier14GHz–17GHz Features ■Frequency:14GHz-17GHz ■Gain:19.5dB ■Noisefigure:1.5dB ■OutputP1dB:-1.5dBm ■Powerconsumption:16mW/ch ■Channelisolation:35dB ■Supplyvoltage:0.9V-1.0V ■Commonbiascontrolinput ■Compactsizeforplanarintegrationonλ/2grid ■2.7×2.7×0.9mm,23-pin	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F6923AVRI	文件：127.39 Kbytes Page：3 Pages	Dual-ChannelLowNoiseAmplifier13.75??17.3GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F6923AVRI	文件：1.45427 Mbytes Page：15 Pages	Dual-ChannelLowNoiseAmplifier14GHz–17GHz Features ■Frequency:14GHz-17GHz ■Gain:19.5dB ■Noisefigure:1.5dB ■OutputP1dB:-1.5dBm ■Powerconsumption:16mW/ch ■Channelisolation:35dB ■Supplyvoltage:0.9V-1.0V ■Commonbiascontrolinput ■Compactsizeforplanarintegrationonλ/2grid ■2.7×2.7×0.9mm,23-pin	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F6923EVB	文件：127.39 Kbytes Page：3 Pages	Dual-ChannelLowNoiseAmplifier13.75??17.3GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F6923EVB	文件：1.45427 Mbytes Page：15 Pages	Dual-ChannelLowNoiseAmplifier14GHz–17GHz Features ■Frequency:14GHz-17GHz ■Gain:19.5dB ■Noisefigure:1.5dB ■OutputP1dB:-1.5dBm ■Powerconsumption:16mW/ch ■Channelisolation:35dB ■Supplyvoltage:0.9V-1.0V ■Commonbiascontrolinput ■Compactsizeforplanarintegrationonλ/2grid ■2.7×2.7×0.9mm,23-pin	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
FDW6923	文件：120.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFETwithSchottkyDiode GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.ItiscombinedwithalowforwarddropSchottkydiodewhichisisolatedfromtheMOSFET,providingacompactpowersolutionforasynchronousDC/DCconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDW6923	文件：267.01 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench??MOSFETwithSchottkyDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GTS6923	文件：333.8 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELWITHSCHOTTKYDIODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
MP6923GS	文件：211.49 Kbytes Page：5 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationEVBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
PT6923	文件：165.24 Kbytes Page：4 Pages	3-SegmentACInputHVLEDDriver	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT6923A	文件：203.46 Kbytes Page：4 Pages	3-SegmentACInputHVLEDDriver	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT6923A-HS	文件：203.46 Kbytes Page：4 Pages	3-SegmentACInputHVLEDDriver	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT6923-HS	文件：165.24 Kbytes Page：4 Pages	3-SegmentACInputHVLEDDriver	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
SI6923	文件：92.73 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFETwithSchottkyDiode GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.ItiscombinedwithalowforwarddropSchottkydiodewhichisisolatedfromtheMOSFET,providingacompactpowersolutionforasynchronousDC/DCconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI6923DQ	文件：92.73 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFETwithSchottkyDiode GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.ItiscombinedwithalowforwarddropSchottkydiodewhichisisolatedfromtheMOSFET,providingacompactpowersolutionforasynchronousDC/DCconverter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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