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AM3400A	文件：730.09 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3400A is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss are needed in small outline surface mount package. 文件：730.09 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3400AE3R	文件：730.09 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3400A is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss are needed in small outline surface mount package. 文件：730.09 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3400AE3VR	文件：730.09 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION AM3400A is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced trench technology devices are well suited for high efficiency fast switching applications, low in-line power loss are needed in small outline surface mount package. 文件：730.09 Kbytes 页数：8 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3400A	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi

技术参数

漏击穿电压(V)：
30
栅级电压 (V)：
±12
连续漏电流(A)(25°C)：
6.2
阈值电压(V) 最小值/最大值：
0.4/1.0
RDS(ON) Vgs=±10V(mΩ) 型：
20
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
23
Vgs=±2.5V(mΩ) 型：
27
应用：
PWM/Handheld
交叉参考：
AO3402

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市鹏和科技有限公司	AM3400AE3R	AIT-IC	24+	SOT-23L	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	AM3400AE3R	AIT-IC	24+	SOT23	98000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	AM3400AE3R	AIT-IC	23+	SOT-23L	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多AM3400A供应商更新时间2025-10-7 11:10:00

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