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AM2319A中文资料创瑞科技数据手册PDF规格书

AM2319A
厂商型号

AM2319A

功能描述

MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件大小

597.97 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 AiT Semiconductor Inc.
企业简称

AITSEMI创瑞科技

中文名称

AiT创瑞科技官网

原厂标识
AITSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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AM2319A规格书详情

FEATURES

 Fast Switching

 1.8V Lo w gate drive applications

 Improved dv/dt capability

 20 V/ 4.2 A,

RDS(ON) ON)= 35 mΩ( Typ ) @ V GS = 10V

RDS(ON) ON)= 43 mΩ( Typ ) @ V GS = 4.5V

RDS(ON) ON)= 57 mΩ( Typ ) @ V GS = 2 .5V

RDS(ON) ON)= 80 mΩ( Typ ) @ V GS = 1.8 V

 Reliable and Rugged

DESCRIPTION

The AM2319A, is P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology.

This advanced trench technology devices are well

Suited for high efficiency fast switching applications

The AM 2319A is available in SOT 2 3 packages.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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