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AH266K-PG-B-A	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AH266K-PG-B-B	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AH266K-PL-B-A	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AH266K-PL-B-B	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
AN266	文件：1.02828 Mbytes Page：8 Pages	VCXOTUNINGSLOPE,STABILITY,ANDABSOLUTEPULLRANGE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
AOB266L	文件：1.43838 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB266L	文件：315.4 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT266L	文件：289.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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